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人類應鼎力進行探索的35種顛覆性技術(shù)

2020-07-28 09:17 性質(zhì):轉(zhuǎn)載 作者:戰(zhàn)略前沿技術(shù) 來源:戰(zhàn)略前沿技術(shù)
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人類文明的進步,只要出現(xiàn)難以逾越的障礙,必然給人類的發(fā)展帶來迷茫和災難。而解決的路徑只有一個:科技探索和創(chuàng)新。只有鼎力進行中的科技探索,能促使人類放棄相互之間的成見,攜手團結(jié),共創(chuàng)光...

人類文明的進步,只要出現(xiàn)難以逾越的障礙,必然給人類的發(fā)展帶來迷茫和災難。而解決的路徑只有一個:科技探索和創(chuàng)新。只有鼎力進行中的科技探索,能促使人類放棄相互之間的成見,攜手團結(jié),共創(chuàng)光明的未來。

筆者在本文中提出如下35種顛覆性技術(shù),如果一旦有所突破,必然會給人類帶來新的希望。相信在不遠的將來,會逐步出現(xiàn)一些科技創(chuàng)新的突破,使這些技術(shù)付諸使用,并對人類文明的發(fā)展帶來驚人的顛覆性改變。

這35種科學理論和技術(shù)是:1.勢壘波能發(fā)動機(空天機專用)簡介:以mm級磁屏為磁能勢壘,對ug級為起點的動能在通屏時,產(chǎn)生逆熵效應,以分子波的形式與磁屏產(chǎn)生增益80萬倍的反作用力,推動飛行器運動。

2.十六晶面內(nèi)聚儲能材料(電池儲能)簡介:利用碳烯措邊合成十六面晶球,形成球閃無苛空間,對外來電子產(chǎn)生對率吸納作用。在晶球吸納外來電子至飽和態(tài)時,由晶面向鄰界晶球輸出內(nèi)儲電子。鄰界晶球也是以對率吸納的形式,使內(nèi)儲鄰界晶球輸出的電子(飽和輸出),在晶球之間形成梯次輸——放電子功能。

3.泛晶材料(常溫磁、電超導材料)簡介:利用二維晶面材料,疊加制成nm隙的疊層結(jié)構(gòu)材料,使二維晶面材料之間形成無壘通道,對磁、電粒子不產(chǎn)生效應阻力,在常溫條件下,無阻定向通過泛晶材料。

4.惰烯膜材料技術(shù)(表面阻熱、抗輻射材料)簡介:把惰性氣體過溫加熱,使其產(chǎn)生游離懸浮態(tài)后,速冷聚合為霧態(tài)云,緩速沉淀生成惰性負價烯膜。附于物體表面的烯膜可使該物體具有表面阻熱和抗輻射效能。 

5.納米旋毛次聲波發(fā)生器簡介:把容聲性彈性材料制成nm絨毛體,在合成軟金屬管內(nèi),以um級等距螺旋形態(tài),插入內(nèi)管壁面,構(gòu)成螺旋次障,在氣流吹動或毛尖放電過程中,產(chǎn)生柔性振動并釋放振動聲波。這種聲波是次聲波。

6.量子盾技術(shù)簡介:以量子簇屏效應,對空間相量量子或相量異量子進行等距糾纏,在量子簇屏角向范圍內(nèi),把相量量子或相量異量子糾纏控制為同簇位量子,在等距空間構(gòu)成同簇位量子陣壘,使等距空間成為無動態(tài)量子壁,即:量子盾。量子盾技術(shù)可以讓人們越過大海如履平地。

7.乏中子材料簡介:把純中子消能后的夸克,低溫彌加堆疊成多晶面晶粒,在常溫下合成可變性素位材料。

8.三基態(tài)基因理論(人類基因種類)簡介:這是以酸、堿、鹽三種基礎(chǔ)物質(zhì),對應人類基因組基礎(chǔ)對稱密碼屬性種類,來確認人類種群進化程度的標準。人類基因組中只對應一種基礎(chǔ)物質(zhì)的稱:單基基因,為初級進化人類。人類基因組中對應二種基礎(chǔ)物質(zhì)的稱:雙基基因,屬中等進化人類。人類基因組中對應全部基礎(chǔ)物質(zhì)的稱:三基基因,屬高級進化人類。

9.十萬分率液體陀螺儀簡介:利用液體表面與引力絕對垂直現(xiàn)象的原理,在球形電感容器中注入混合內(nèi)聚性液體,并充入拒溶性氣體,對混合內(nèi)聚性液體施壓至容器電感原子級刻度,形成質(zhì)壓平衡原子十萬分級平顯率。

10.純晶態(tài)電子合成技術(shù)簡介:以非能量夸克對為誘子,在渦旋磁場中誘導磁粒子過極化,產(chǎn)生極點隨向性粒子堆積晶態(tài)物象,迫使極點隨向性粒子的貝粒子流改距,生成極性電場流,成為電子晶態(tài)合成體。

11.中微子通訊技術(shù)簡介:利用中微子可穿越98.82%物質(zhì)效應區(qū)能力的特性,選擇2級態(tài)中微子,以數(shù)位組合信息內(nèi)容,由發(fā)生器直線定向起搏發(fā)射。接收方以氫化閃爍屏和光感接收器,按中微子觸屏閃爍數(shù)位確認信息內(nèi)容。

12.冷光子輻射技術(shù)簡介:用一個抽真空達到0~2度的,具有定向折反射并單向透光功能的半球形全封閉容器,作為負量效應區(qū)。在不同頻率的光子進入效應區(qū)后,由效應區(qū)產(chǎn)生負量加速,使光子原速度在負量加速作用下,達到超原速效能,生成極頻內(nèi)能光子。

13.二元動差激光器簡介:把荷量相同的同性粒子,分別以低速屏聚和高速軸射的方式,在一個拋物面折(反)射體焦點區(qū)處,以動差連續(xù)撞擊的形式,產(chǎn)生能級越遷并反轉(zhuǎn)釋放定頻光子。

14.異氧滅活理論簡介:以改變病灶血液及腺體溶氧率,對噬氧和厭氧病毒菌種群進行異氧殺滅。

15.金屬微泡材料制作技術(shù)簡介:在合金材料處于等溫液態(tài)狀態(tài)下,向等溫合金材料中注入氮氣,隨后急速降溫使合金材料帶氮冷卻固化,形成晶間微泡結(jié)構(gòu),以提高合金強度及耐溫性。

16.共振筑頻原理公式解釋簡介:以結(jié)構(gòu)次點,壘式阻尼,相量分布,截面滯熵為共振筑頻基礎(chǔ),以公式法解釋共振原理及計算過程。

17.粒子共性理論簡介:用粒子軛能共享效應,解釋粒子間次能補償,構(gòu)成穩(wěn)定粒子組合成份,達到目標性創(chuàng)新物質(zhì)的合成效果和依據(jù)。

18.Kt級旋射通用發(fā)動機簡介:以徑向加速的方式,把g級等離子態(tài)能量加速到白熾量子級能量,利用滯旋磁屏,把白熾量子級能量切流導入磁軛射流噴管,以亞光速射流形態(tài),由單體噴口噴出,產(chǎn)生反作用推力。

19.彌電子存儲技術(shù)簡介:利用彌電子為4量子內(nèi)能粒子,對電磁信號具有點位陣列飽和排序功能特性,以nm級二維晶膜結(jié)構(gòu)體為基陣,對輸入信號按輸入順序,由彌電子點位排序積儲,每個點位儲量為星球級信息儲量。

20.三聚態(tài)聚變技術(shù)理論(純聚變彈理論)簡介:以凝聚態(tài)純汞在諧振能量作用下的簇點飽和相變,形成粒子弦壓對稱聚合,使夸克內(nèi)能弦聚變量釋放,產(chǎn)生純聚變放能效應。

21.過態(tài)量子技術(shù)理論簡介:等荷量子在糾纏聯(lián)動過程中,荷外勢能自然趨向隨勢能跨位,形成自凝態(tài)量子,對物質(zhì)合成產(chǎn)生質(zhì)變,生成超物態(tài)變化的自變相量子。

22.裂導旋頻反引力技術(shù)理論簡介:磁、電場能對沖時,磁、電場對沖相量振頻界弦,以超高速旋轉(zhuǎn)形態(tài),迫使貝粒子場流出現(xiàn)渦流分層裂隙現(xiàn)象,由分層裂隙形成的相位超導效應,梯次形成反轉(zhuǎn)引力屏,對屏外自然引力產(chǎn)生排斥。

23.氣體分子成烯技術(shù)簡介:在潔凈封閉容器中充入純凈單一氣體,利用等離子加熱、靜態(tài)放電方式,完全純化氣體分子。在加熱溫度使氣體分子產(chǎn)生白熾云態(tài)時,再次向容器中充入與白熾云態(tài)氣體相同的純凈低溫氣體,快速凝化白熾云態(tài)氣體分子,在等溫狀態(tài)下結(jié)合成烯。

24.干(單)膜制氫技術(shù)簡介:把導電烯松綿體分解為單層網(wǎng)膜結(jié)構(gòu),放入一個注有導電性質(zhì)的凈化水金屬容器中,與容器之間用凈化水隔離,在單層網(wǎng)膜一端通入微波頻率的交流電能,使單層網(wǎng)膜在凈化水中分解水氫。

25.多軸切變雷達技術(shù)(立體成像)簡介:以全角位多弦軸波圖合成原理,對測試物進行截點切變?nèi)S增益測試,可使截點回波成像率達到99.76%立體影像。

26.納米絲晶集成電路技術(shù)簡介:在納米級半導體單晶絲表面,以簇點搭橋構(gòu)成元件,制成多相晶面組合電路,使電子形成界面飽和傳輸、存儲,形成無界層集成電路。

27.臨界粒子簇變技術(shù)簡介:以亞粒子射線轟擊待變粒子簇界面,使粒子簇位形成剪滲增變效應,處于臨界狀態(tài)。在連續(xù)轟擊下,臨界態(tài)粒子簇不斷剪滲增變,迫使核性隨增變而產(chǎn)生瞬變,生成與原物質(zhì)性質(zhì)相反的物質(zhì)粒子。

28.質(zhì)場技術(shù)理論簡介:利用膠子力場穩(wěn)態(tài)交變特性,以加載力場的方式,使核力、磁力、引力產(chǎn)生場性互變,達到物質(zhì)力場任意轉(zhuǎn)換,互為便通的統(tǒng)一力場效應。

29.負導靜磁能量技術(shù)(水下10~50萬噸排水量無聲推進技術(shù))簡介:利用阻磁性材料制作mm級間距等寬單向開口的陣列式阻磁隧道,在mm級間距壁面,以N極對沖磁場為效應力場,由設(shè)置在阻磁隧道中的電磁阻尼棒,對隧道中磁能產(chǎn)生過載阻尼,以脈沖形式的過載磁能,在隧道端口進行過載質(zhì)量磁能釋放,產(chǎn)生Mg級(單隧道)質(zhì)量磁能反作用推力。

30.量子13000km分子級分辨率實物靜動態(tài)掃描技術(shù)簡介:以屏蝕相位量子透屏顯示原理,對靜動態(tài)目標物進行激屏掃描測試,使屏蝕相位量子與目標物量子發(fā)生聯(lián)動,并自動反饋聯(lián)動信息,可在13000km距離范圍內(nèi),透屏顯示目標物分子級靜動態(tài)幾何影像。

31.伽屏顯示技術(shù)簡介:以負價同位素基色液晶為伽屏基質(zhì),全頻率光色同步無外能直接顯示原始影像,凈屏保真率為100%。

32.鈾繭核能技術(shù)(微型核、電瞬轉(zhuǎn)技術(shù))簡介:把鈾與鉆石晶基體制作成繭縛結(jié)構(gòu),在鉆石晶基體表面和端面設(shè)為正負電極,由鈾原子負盾釋放的界面核能,對鉆石晶基體形成迫容性激勵,使鉆石晶基體中的電子產(chǎn)生能壓游離,由端面電極輸出鉆石晶基體。做功后,返回鈾繭至鉆石晶基體表面,形成回路狀態(tài)。

33.極化原子及應用技術(shù)簡介:以物質(zhì)結(jié)構(gòu)原子增減夸克產(chǎn)生極化原理,把極化夸克非對稱交極合成溢能粒子,使夸克內(nèi)能表面化,構(gòu)成交極能量結(jié)構(gòu)粒子,應用于各種功能性及宇宙防護結(jié)構(gòu)體

34.電子異態(tài)技術(shù)理論(晶態(tài)、液態(tài))簡介:把游離電子輸入到左旋膠子對力場后,電子在力場偏振能量作用下,1/2交變過程終止,處于失衡狀態(tài)。在力場連續(xù)作用下,電子出現(xiàn)鐘擺運動現(xiàn)象,并逐漸減擺,成為類惰性態(tài)電子,依附在左旋膠子對近邊緩慢堆積。偶數(shù)堆積形成質(zhì)量晶態(tài)電子,素數(shù)堆積則形成質(zhì)量液態(tài)電子。

35.伽瑪浮點全息影像技術(shù)簡介:把伽瑪同頻潔凈效應蒸汽充入透光容器中,在伽瑪射線粒子按程序定向進入容器后,容器內(nèi)同頻蒸汽對外來伽瑪粒子產(chǎn)生諧頻汽凌效應,使外來伽瑪粒子在蒸汽中連續(xù)拉長運動頻率,逐漸成為減頻光子,懸浮在蒸汽中,與同時進入蒸汽的外來伽瑪粒子同效構(gòu)成預設(shè)全息影像,即:伽瑪四維浮點全息影像。以上35種顛覆性技術(shù),有條件的國家科研機構(gòu)和高科技企業(yè)應該組織力量研究攻關(guān),這樣的技術(shù)進步一旦成熟并投入實用,必然對人類文明的發(fā)展帶來巨大的促進。

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