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GAAS PHEMTS

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Qorvo 采用一流的超低噪聲 0.13 μm pHEMT 和 0.25 μm E-pHEMT 工藝提供廣泛的分立式晶體管組件。這些分立式設備讓客戶能夠在設計低噪聲放大器 (LNA) 電路時掌握全面控制權。各種分立式 FET 可以提供低至 0.15 dB 的噪聲系數,可用于高達 22 GHz 的范圍。還可提供成對晶體管,非常適合均衡的 LNA 設計。

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